最近一段時間，中國有關光刻機的新聞又多了起來，諸如 「國產EUV光刻機有重大突破！」 「EUV光刻機實質突破！」等新聞標題聳人聽聞。然而仔細分析這些新聞，發現它們基本上把還是處於理論或實驗室階段的東西誇大其詞。
專家表示，發展EUV光刻機不僅需要自由穩定的制度環境，而且需要工匠精神。在目前中共制度下，只會產生大量貪腐，任何人都沒有真正的安全，留不住真正高端人才。
被誇大的國產光刻機
光刻機主要由光源、透鏡及機台三大部份組成，光源部份尤其關鍵。
目前光刻機激光光源主流是荷蘭ASML採用的LPP方案，該方案已被充份驗證，現有EUV（極紫外光刻機）光源都是LPP。
大陸的LPP方案主要由上海光機所主導，該所挖來荷蘭ASML研發部光源技術負責人林楠，據當前公開的研究進展，林楠團隊在其建立的激光驅動等離子體極紫外（LPP-EUV）光源實驗平台上，實現了高達3.42%的1 μm固體激光到13.5 nm極紫外光轉換效率，主焦點13.5 nm極紫外單脈衝能量超20 mJ。
該結果被認為「處於國際靠前、國內領先水平」。
中國研發的EUV光源技術還有其它技術路徑，比如哈爾濱工業大學的放電等離子體極紫外光源（DPP），這種方案被認為能量轉換效率高、造價較低、體積較小、技術難度較低等優勢，可提供中心波長為13.5納米的極紫外光。
但業內人士表示，儘管DPP方案看起來比LPP簡單，但當年Cymer（後並於ASML）無法提升功率只能放棄DPP轉向LPP。
除此之外，廣東智能機器研究院與華中科技大學，嘗試採用分時高功率光纖激光器射擊液態錫靶，繞開ASML超高功率、超高重頻二氧化碳激光器這個路線。
最後一個方案則是路線最為創新、最為顛覆性的加速器光源SSMB-EUV，即穩態微聚束極紫外光源路線，由清華大學主導。
中國開發的上述幾種光源路線，先後被陸媒吹捧為「重大突破」「實質突破」，聽起來好像國產EUV已經指日可待了。
事實上，從ASML發展的經驗來看，ASML僅完成EUV光源的可行性論證，就花了3年的時間，又花了15年，才完成13.5nm EUV光源的實用工程化。
ASML行政總裁克里斯托夫‧富凱（Christophe Fouquet）在今年4月的一次會議上表示，「產生一些EUV光是可能的，但中國要製造出EUV機器還需要很多很多年」。
專家：這樣的新聞都是假的
曾任台積電採購經理的薛宗智對《大紀元》表示，「每次有人來問我這些大陸新聞真的假的，我說你只要看到這樣的新聞絕大部份都是假的，因為中國就喜歡敲鑼打鼓說自己有多厲害。如果它真的做出來，是不會想要讓外人知道的。因為你讓人家知道，人家就管制你，等於是自殺嘛！何必呢？」
薛宗智表示，中國要做到荷蘭ASML水平至少需要20年。他們現在做出來的，其實是實驗室裏人為控制的，實驗室純粹只是為了驗證是否可行，可以用很大的設備、不計成本，只求做出一次成功。做工程的人都知道，從實驗室做完到可以量產，有時候20年都做不到。很多教授寫論文寫得很厲害，但沒辦法做成產品，無法量產。量產表示它每分每秒做出來的品質是一模一樣的。
台灣大學電機系教授林宗男對《大紀元》表示，他們為甚麼都是會吹捧誇大成就，最主要的部份是因為做不出來，做不出來才要吹捧。如果做得出來，它就直接將產品推出來了。
林宗男表示，以光源的功率而言，ASML最頂級有600瓦，哈工大的功率大概不到100瓦，所以有很大的差距，還無法用在實際工廠的製造。
台灣工研院政策與區域研究組組長李冠樺對《大紀元》表示，目前陸媒新聞來講，其實都還是實驗室的產物，實驗室在乎的是發表論文，事實上離商業化還有很長的路要走。
他指出， EUV光源的確是一個關鍵，但EUV龐大的機器，不是只有光源，還包含透鏡、整個系統的協調，尤其當做到先進製程3納米、2納米。一點點機器或零組件的公差，就會導致最終結果非常不好。
「尤其先進光刻機不純粹只是在研發，還需要跟先進製程的製造商配合，大家魚幫水、水幫魚，共同去發展。中國非常不利的狀況是，中國具有先進製程能力的廠商是沒有的。它就沒有辦法吸取製造上的經驗，進一步去優化它的光刻機。」
發展光刻機 需要甚麼樣的人與制度？
業內人士認為，光刻機其實是一整套完整的納米工業。要構建一台光刻機，難的不是任何一個環節，而是整台機器、所有零件、所有環節，全部都要達到納米級精度。
中國國內的一些專家也坦言，光刻機不是說砸錢下去就能把差距追平的。科學需要創造力，創造力的前提是興趣與包容試錯的寬鬆環境，把科學作為任務甚至是命令，只能適得其反。不是所有東西都有山寨版，航發、晶片、光刻機等，單靠樣品很難仿製。
台灣安全研究院戰略與資源所所長蘇紫雲對《大紀元》表示，這種微物理的世界，涉及到很多專有知識和技術門檻，又涉及到機器製造的整合，不像航空母艦這種巨觀武器裝備，可以逆向工程出來，微觀物理的裝備沒辦法去逆向。
專家們都強調，光刻機這種微觀而巨大工程，對人與社會制度都有非常高的要求。
林宗男表示，先進半導體的產業鏈非常的漫長，涉及的領域非常的廣，需要經驗的累積。所以如果沒有一個穩定、自由安定的社會環境就無法積累技術經驗，像中共這種制度不也大可能有產生高質素人才，也無法累積高質素的人才。
李冠樺表示，光刻機是一個很精密的系統，需要像日本那樣一種工匠精神，非常非常專注、非常非常嚴謹，品質上要求非常高，每個環節都必須經過不停的重複、模擬，一步步形成最終成品。
他認為，中國也有這樣的人才，但這樣人才在中國不容易生存。因為中國常常講快速進入市場，在市場指標下，很多本來應該要慢工出細活、需要一步步紮根的事情，過程中都被省略了。如果中間過程都不想要，只想要最終成果的話，其實就是緣木求魚了。
李冠樺表示，只要在這個行業待過的人，都知道要在短短兩三年內要達到國外成就，是不可能的事。問題如果你要用很長的時間就拿不到經費，所以最好的方法就是先騙到一筆錢，快速在市場進行實現，所謂晶片貪腐案就是理所當然了。
蘇紫雲表示，中共的大基金是一種有計劃性的貪腐，以晶片業的名頭，慷政府之慨，各個地方政府跟不肖人士也勾結，成立了一堆假的半導體公司騙補之後兩年就倒了。
他補充，在中共一黨專政的情況之下，任何人都沒有真正的安全。因為黨隨時會說是洩密或其它的安全問題，所以留不住真正高端的人才。
造光刻機有多難？
迄今為止，ASML的EUV光刻機是全球製造業獨一無二的奇蹟，即使ASML一些資料公開，也沒有其它國家能夠造出來。
薛宗智表示，ASML的設計想法業界大概都知道，部份專利也早公開了。但是為甚麼ASML做得出來，中國做不出來？原因很簡單，今天中國把奔馳買去，它能馬上做出平治車子的水準嗎？不可能。因為奔馳、BMW這些車廠有幾百年磨下來的經驗。
「那個技術我自己以前負責過，技術太難了，我必須要尊重那個技術、那個人才」，他說，美國也做不出來，台灣、日本都做不出來，全世界只有ASML做得出來。
薛宗智表示，即使台積電把ASML買下來，台積電幾萬個R&D博士工程師也沒有辦法做。像光學折射有數萬種模型，哪種模型最適合用在哪一種製程？那都是要花幾兆數據資料庫才有辦法去整合的，也許用AI來處理可以快一點點。但如果你沒有數據，就算有AI，你也沒辦法。所以你就必須要有光學技術，從4吋、6吋、8吋、12吋，從幾微米到幾納米，全世界有數據的只有ASML。
薛宗智認為，除了長期企業積累資料外，個人經驗與傳承也很關鍵。
「我總是講，人是最強的AI，尤其一些老師傅。以前我們去修車，老師傅只要聽一下就知道問題在哪裏。可是AI沒辦法，畢竟沒有辦法做到人用五感就可以去知道的狀況，它需要大量的數據。」
他補充，美國也一樣，美國亞利桑那的台積電工廠，最後必須還是要仰賴台積電大量台籍工程師過去，整個工作模式與大數據都移植過去，才做得出來。
「這個東西稱為軟實力，中國過去太陽能面板或LED照明做得蠻不錯，那是因為門檻很低，但半導體這塊它就踢到石頭了。」
薛宗智還提到第三個因素，即ASML的EUV是客戶共同開發的結果，而不是閉門造車。
薛宗智表示，設備最需要的是客戶的回饋。就像做一個烤麵包機，如果只是用自己的想法去做，一定不會好。但是如果跟很多的麵包師傅合作，就知道他們在乎怎麼用，就會越做越棒。
薛宗智表示，中國就算今天真的有辦法做出EUV，無論你是清華或北大做出來，可是也找不到客戶願意測試，中國現在並沒有任何可以生產3納米跟5納米的晶圓廠。中芯國際現在也只有14納米，所謂的7納米都是假的，良率非常差，壽命非常短。
中共光刻技術差距有多大？
根據華盛頓特區獨立智庫「安全與新興技術中心」（CSET）的最新數據，在光刻工具領域，中國在2019年至2024年期間獲得的市場份額微不足道。荷蘭仍然是光刻工具主要供應國（79%），其次是日本（17%），表明光刻技術仍然是中共半導體技術野心的關鍵樽頸，外國老牌企業持續保持著強大領先地位。
中國的上海微電子裝備股份有限公司（SMEE）在用於傳統晶片製造的I-line（365納米）光刻機方面僅佔有4%市場份額。
李冠樺表示，在先進製程那一塊，在美國卡的非常緊的情況下，不能說它沒有進步，但進步的確非常緩慢。如果具有先進製程的半導體國家持續往前走，而中國持續被卡住，這個差距會越來越大。
蘇紫雲表示，與ASIM的差距，目前推估是在30年左右。中共也許會有一些部份的突破，這個差距可能會拉到20年，可是民主國家民主陣營的技術也在進步。所以這差距還是可以保持得住。#
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