過去幾周，中共官媒大肆宣傳國產極紫外光（EUV）光刻技術取得「重大突破」，引發國際關注。EUV光刻機是當前全球最先進的晶片製造設備，也被視為北京推動半導體自主化的最大技術樽頸。
然而，業界普遍認為這類高調宣傳言過其實。目前，全球唯一具備量產EUV光刻機能力的企業，仍是荷蘭半導體設備龍頭阿斯麥（ASML）。儘管中國已在實驗室條件下產生EUV光源，但多數專家認為，從實驗室展示走向穩定、可商業化運作的完整系統，中方仍落後20至30年之久。
此外，專家也指出，中共體制內普遍存在的腐敗、人才流失與政治風險，進一步削弱了其技術追趕的可行性。
實驗室成果距量產仍遙不可及
EUV技術利用13.5納米光波刻畫電路圖樣，可製造出5納米甚至更先進的晶片。由於美國已禁止ASML向中國出口先進EUV設備，中共只能自行開發替代方案。
一套完整的EUV系統須具備三大子系統的完美協作：高能光源、高精度反射鏡，以及超穩定晶圓移動平台。其中，光源最難攻克。
目前全球主流光源技術為ASML率先商用的LPP（雷射產生等離子體）架構，透過高功率二氧化碳雷射連續照射高速噴射的微小錫滴，使其形成錫等離子體並釋放出13.5納米波長的極紫外光。
中共目前最具代表性的LPP項目位於中國科學院上海光機所（SIOM），由2021年從ASML回國的光源科學家林楠領導。
林楠團隊今年3月報告顯示，其轉換效率達3.42%，單次脈衝能量超過20毫焦耳，優於2019年荷蘭納米光刻先進研究中心的3.2%與瑞士ETH蘇黎世大學2021年測得的1.8%。
雖然此成果被中共官媒譽為「國際先進水平」，但仍落後於2007年美國中佛羅里達大學創下的4.9%與2024年日本宇都宮大學的4.7%，更遠低於ASML目前商用機器約5.5%的效率。
轉換效率是指雷射能量中成功轉為極紫外光（EUV）的比例。3%的效率代表97%的能量以熱或其它形式流失。提升效率可減少能耗、降低熱負載，並加快生產速度。
多路並進難掩實用性不足
除了LPP，中國多家科研機構也在嘗試多種方案，例如哈爾濱工業大學正重拾已遭ASML淘汰的「放電產生等離子體（DPP）」技術，雖成本低、設備小，但功率不足。
華中科技大學與廣東智能製造研究院則嘗試使用纖細的光纖雷射，希望避開ASML所依賴的龐大二氧化碳雷射裝置。
清華大學的想法最為大膽，嘗試用粒子加速器產生穩定的微束脈衝光，即SSMB（穩態微束化）EUV。
然而，這些技術多仍停留在實驗室階段，距離能支援日夜穩定量產的製造設備，尚有極大落差。儘管如此，中共官媒每逢出現初步成果，便大肆宣傳，暗示自製EUV工具「即將問世」。
產業評估：中共至少落後20年
儘管媒體炒作不斷，ASML行政總裁傅樂凱（Christophe Fouquet）仍對這些聲稱表示懷疑。
他在4月的一場投資者電話會議中表示：「產生一些EUV光不難，但中國要製造出一台EUV機器，恐怕還需要很多很多年。」
前台積電（TSMC）採購經理薛宗志對《大紀元時報》表示：「幾乎每一個中文標題都誇大其詞，聳人聽聞。……若真有突破，中國（中共）反而會保持低調以避免制裁。」
他估計，中國離ASML目前水準至少還有20年差距。「在實驗室中，你可以不計成本、依賴一整套笨重設備成功產生EUV光；但若要將其轉化為能穩定量產、全天候運作的商業化設備，可能還需二十年，甚至最終仍可能失敗。」
「大規模生產意味著每秒的品質都相同。」薛補充。
台灣大學電機工程系教授林宗男指出，ASML目前EUV光源功率已達600瓦以上，而中國哈工大的原型系統僅不到100瓦，遠低於目前業界量產需求的250瓦以上。
台灣工研院政策研究主管李冠華認為，即使光源技術突破，EUV系統仍需整合極精密的反射鏡、抗震平台與製程回饋系統。
他向《大紀元時報》表示：「尤其在3納米與2納米節點下，任何微小誤差都會導致良率下降。」
目前中國最先進代工廠仍停留在14納米節點，無法提供測試平台協助優化EUV工具。
制度與人才是關鍵
專家指出，建立一套完整的光刻生態系統，不僅關乎物理，更取決於人才與制度建設。
「科學需要失敗的自由。」台灣安全研究院研究員蘇紫雲表示。
他指出，逆向工程或許適用於製造航空母艦，但無法套用在原子尺度上的物理原理。
李冠華補充，真正掌握光刻技術，需仰賴如日本所展現的「工匠精神」——數十年如一日的投入與反覆驗證。而在中國，科研資源的配置往往重速度、輕嚴謹，導致研究人員傾向誇大成果。
這類獎勵機制催生了「大基金」（中共國家集成電路產業投資基金）貪腐醜聞。中共當局斥資數百億美元扶持清華紫光等本土半導體企業，隨著多名高層涉貪遭查，該項目不到兩年便宣告瓦解。
蘇紫雲指出，在一黨專政體制下，沒有人真正安全。中共可隨時以洩密為由整肅科學家，導致頂尖人才難以久留。
ASML的成功難以複製
ASML的領先並非單靠資金。該公司花費三年證明EUV技術可行，又耗費十五年將其轉化為工業量產設備，並與台積電、三星、Intel等客戶密切合作，反覆優化每個細節。
薛宗志表示，這種耐心與精細的文化，與中共透過技術竊取或企業收購尋求捷徑的做法截然不同。
EUV技術需要累積數百萬GB的光學數據，而這些數據唯有ASML擁有。他指出：「就算明天有人收購ASML，也無法靠一群博士團隊在短時間內複製這些機器。」
他舉例，台積電位於亞利桑那州的新晶圓廠，良率一度停滯不前，直到台灣總部派出數百名資深工程師與大量資料庫支援，才逐步改善。
「這種軟實力無法被複製。」他說。
他指出，中國在太陽能這類低門檻產業表現亮眼，「但到了半導體，就會遇上真正的牆。」
市佔率：中國幾乎為零
根據美國新興技術安全中心（CSET）報告，2019至2024年間，中國在全球光刻機市場的佔比極低。
目前全球光刻機市場由荷蘭佔79%、日本佔17%。即使在較舊的365納米i-line技術領域，中國佔比也僅約4%。在先進的EUV領域，中國市佔為零。
李冠華表示，美國出口管制使中國進展近乎停滯；隨著世界其它國家持續推進3納米與2納米製程，差距只會越拉越大。
蘇紫雲認為，目前中國與全球先進水準的差距約30年。
即使未來有所突破，也最多可縮短為20年，但「其它國家也不會停下腳步，這道差距很可能會維持下去。」#
原文「Why ASML Chipmaking Tools Remain China's Core Bottleneck Despite Reports of EUV Progress」刊登於英文《大紀元時報》
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